TPN5900CNH,L1Q

প্রস্তুতকারকের অংশ নম্বর:	TPN5900CNH,L1Q
প্রস্তুতকারক:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
বর্ণনার অংশ:	MOSFET N-CH 150V 9A 8TSON
ডেটাশিট:	TPN5900CNH,L1Q ডেটাশিট
লিড ফ্রি স্ট্যাটাস / RoHS স্ট্যাটাস:	লিড ফ্রি / RoHS কমপ্লায়েন্ট
স্টক কন্ডিশন:	স্টকে
থেকে জাহাজ:	Hong Kong
চালানের পথ:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

মন্তব্য করুন: সক্রিয়-সেমি TPN5900CNH,L1Q chipnets.com এ উপলব্ধ। আমরা শুধুমাত্র নতুন এবং আসল অংশ বিক্রি করি এবং 1 বছরের ওয়ারেন্টি সময় অফার করি। আপনি যদি পণ্য সম্পর্কে আরও জানতে চান বা আরও ভাল মূল্য প্রয়োগ করতে চান, তাহলে অনুগ্রহ করে আমাদের সাথে যোগাযোগ করুন অনলাইন চ্যাটে ক্লিক করুন বা আমাদের কাছে একটি উদ্ধৃতি পাঠান।

ESD অ্যান্টিস্ট্যাটিক সুরক্ষা দ্বারা সমস্ত ইলেকট্রনিক্স উপাদানগুলি খুব নিরাপদে প্যাকিং করা হবে।

package

স্পেসিফিকেশন

টাইপ	বর্ণনা
সিরিজ	U-MOSVIII-H
প্যাকেজ	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
পার্ট স্ট্যাটাস	Active
FET প্রকার	N-Channel
প্রযুক্তি	MOSFET (Metal Oxide)
উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss)	150 V
কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড	9A (Ta)
ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস)	10V
আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস	59mOhm @ 4.5A, 10V
ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি	4V @ 200µA
গেট চার্জ (কিউজি) (সর্বাধিক) @ ভিজিএস	7 nC @ 10 V
Vgs (সর্বোচ্চ)	±20V
ইনপুট ক্যাপাসিট্যান্স (সিএসএস) (সর্বোচ্চ) @ ভিডিএস ds	600 pF @ 75 V
FET বৈশিষ্ট্য	-
বিদ্যুৎ অপসারণ (সর্বোচ্চ)	700mW (Ta), 39W (Tc)
অপারেটিং তাপমাত্রা	150°C (TJ)
মাউন্টিং প্রকার	Surface Mount
সরবরাহকারী ডিভাইস প্যাকেজ	8-TSON Advance (3.3x3.3)
প্যাকেজ / কেস	8-PowerVDFN

কেনার বিকল্প

স্টক অবস্থা: 1972

সর্বনিম্ন: 1

পরিমাণ	একক দাম	Ext. দাম
মূল্য উপলব্ধ নয়, দয়া করে RFQ

মালবাহী হিসাব

FedEx দ্বারা US $40।

3-5 দিনের মধ্যে পৌঁছান

এক্সপ্রেস:(ফেডেক্স, ইউপিএস, ডিএইচএল, টিএনটি) 150 ডলারের বেশি অর্ডারের জন্য প্রথম 0.5 কেজিতে বিনামূল্যে শিপিং, অতিরিক্ত ওজন আলাদাভাবে চার্জ করা হবে

জনপ্রিয় মডেল

	TPN5900CNH,L1Q Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
	TPN5R203PL,LQ Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

এই আইটেমটি আপনার কার্ট যোগ করা হয়েছে।