Rectron USA / RM4N650LD
ছবিটি রেফারেন্সের জন্য, প্রকৃত ছবি পেতে আমাদের সাথে যোগাযোগ করুন
RM4N650LD
| প্রস্তুতকারকের অংশ নম্বর: | RM4N650LD |
| প্রস্তুতকারক: | Rectron USA |
| বর্ণনার অংশ: | MOSFET N-CHANNEL 650V 4A TO252-2 |
| লিড ফ্রি স্ট্যাটাস / RoHS স্ট্যাটাস: | লিড ফ্রি / RoHS কমপ্লায়েন্ট |
| স্টক কন্ডিশন: | স্টকে |
| থেকে জাহাজ: | Hong Kong |
| চালানের পথ: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- মন্তব্য করুন
- সক্রিয়-সেমি RM4N650LD chipnets.com এ উপলব্ধ। আমরা শুধুমাত্র নতুন এবং আসল অংশ বিক্রি করি এবং 1 বছরের ওয়ারেন্টি সময় অফার করি। আপনি যদি পণ্য সম্পর্কে আরও জানতে চান বা আরও ভাল মূল্য প্রয়োগ করতে চান, তাহলে অনুগ্রহ করে আমাদের সাথে যোগাযোগ করুন অনলাইন চ্যাটে ক্লিক করুন বা আমাদের কাছে একটি উদ্ধৃতি পাঠান।
ESD অ্যান্টিস্ট্যাটিক সুরক্ষা দ্বারা সমস্ত ইলেকট্রনিক্স উপাদানগুলি খুব নিরাপদে প্যাকিং করা হবে।
স্পেসিফিকেশন
| টাইপ | বর্ণনা |
|---|---|
| সিরিজ | - |
| প্যাকেজ | Tape & Reel (TR) |
| পার্ট স্ট্যাটাস | Active |
| FET প্রকার | N-Channel |
| প্রযুক্তি | MOSFET (Metal Oxide) |
| উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss) | 650 V |
| কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড | 4A (Tc) |
| ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস) | 10V |
| আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস | 1.2Ohm @ 2.5A, 10V |
| ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি | 3.5V @ 250µA |
| গেট চার্জ (কিউজি) (সর্বাধিক) @ ভিজিএস | - |
| Vgs (সর্বোচ্চ) | ±30V |
| ইনপুট ক্যাপাসিট্যান্স (সিএসএস) (সর্বোচ্চ) @ ভিডিএস ds | 280 pF @ 50 V |
| FET বৈশিষ্ট্য | - |
| বিদ্যুৎ অপসারণ (সর্বোচ্চ) | 46W (Tc) |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| মাউন্টিং প্রকার | Surface Mount |
| সরবরাহকারী ডিভাইস প্যাকেজ | TO-252-2 |
| প্যাকেজ / কেস | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
স্টক অবস্থা: একই দিনে শিপিং
সর্বনিম্ন: 1
| পরিমাণ | একক দাম | Ext. দাম |
|---|---|---|
মূল্য উপলব্ধ নয়, দয়া করে RFQ |
||
মালবাহী হিসাব
FedEx দ্বারা US $40।
3-5 দিনের মধ্যে পৌঁছান
এক্সপ্রেস:(ফেডেক্স, ইউপিএস, ডিএইচএল, টিএনটি) 150 ডলারের বেশি অর্ডারের জন্য প্রথম 0.5 কেজিতে বিনামূল্যে শিপিং, অতিরিক্ত ওজন আলাদাভাবে চার্জ করা হবে
কার্টে যোগ করা হয়েছে!
এই আইটেমটি আপনার কার্ট যোগ করা হয়েছে।