Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation / TPN1110ENH,L1Q
ছবিটি রেফারেন্সের জন্য, প্রকৃত ছবি পেতে আমাদের সাথে যোগাযোগ করুন
TPN1110ENH,L1Q
| প্রস্তুতকারকের অংশ নম্বর: | TPN1110ENH,L1Q |
| প্রস্তুতকারক: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| বর্ণনার অংশ: | MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON |
| ডেটাশিট: | TPN1110ENH,L1Q ডেটাশিট |
| লিড ফ্রি স্ট্যাটাস / RoHS স্ট্যাটাস: | লিড ফ্রি / RoHS কমপ্লায়েন্ট |
| স্টক কন্ডিশন: | স্টকে |
| থেকে জাহাজ: | Hong Kong |
| চালানের পথ: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- মন্তব্য করুন
- সক্রিয়-সেমি TPN1110ENH,L1Q chipnets.com এ উপলব্ধ। আমরা শুধুমাত্র নতুন এবং আসল অংশ বিক্রি করি এবং 1 বছরের ওয়ারেন্টি সময় অফার করি। আপনি যদি পণ্য সম্পর্কে আরও জানতে চান বা আরও ভাল মূল্য প্রয়োগ করতে চান, তাহলে অনুগ্রহ করে আমাদের সাথে যোগাযোগ করুন অনলাইন চ্যাটে ক্লিক করুন বা আমাদের কাছে একটি উদ্ধৃতি পাঠান।
| টাইপ | বর্ণনা |
|---|---|
| সিরিজ | U-MOSVIII-H |
| প্যাকেজ | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
| পার্ট স্ট্যাটাস | Active |
| FET প্রকার | N-Channel |
| প্রযুক্তি | MOSFET (Metal Oxide) |
| উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss) | 200 V |
| কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড | 7.2A (Ta) |
| ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস) | 10V |
| আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস | 114mOhm @ 3.6A, 10V |
| ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি | 4V @ 200µA |
| গেট চার্জ (কিউজি) (সর্বাধিক) @ ভিজিএস | 7 nC @ 10 V |
| Vgs (সর্বোচ্চ) | ±20V |
| ইনপুট ক্যাপাসিট্যান্স (সিএসএস) (সর্বোচ্চ) @ ভিডিএস ds | 600 pF @ 100 V |
| FET বৈশিষ্ট্য | - |
| বিদ্যুৎ অপসারণ (সর্বোচ্চ) | 700mW (Ta), 39W (Tc) |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | 150°C (TJ) |
| মাউন্টিং প্রকার | Surface Mount |
| সরবরাহকারী ডিভাইস প্যাকেজ | 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
| প্যাকেজ / কেস | 8-PowerVDFN |
স্টক অবস্থা: 4190
সর্বনিম্ন: 1
| পরিমাণ | একক দাম | Ext. দাম |
|---|---|---|
মূল্য উপলব্ধ নয়, দয়া করে RFQ |
||
FedEx দ্বারা US $40।
3-5 দিনের মধ্যে পৌঁছান
এক্সপ্রেস:(ফেডেক্স, ইউপিএস, ডিএইচএল, টিএনটি) 150 ডলারের বেশি অর্ডারের জন্য প্রথম 0.5 কেজিতে বিনামূল্যে শিপিং, অতিরিক্ত ওজন আলাদাভাবে চার্জ করা হবে
 |
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
 |
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
 |
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
 |
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
 |
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
 |
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
 |
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
 |
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
 |
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |