+1(337)-398-8111 Live-Chat
NXP Semiconductors / PHD21N06LT,118

PHD21N06LT,118

প্রস্তুতকারকের অংশ নম্বর: PHD21N06LT,118
প্রস্তুতকারক: NXP Semiconductors
বর্ণনার অংশ: MOSFET N-CH 55V 19A DPAK
ডেটাশিট: PHD21N06LT,118 ডেটাশিট
লিড ফ্রি স্ট্যাটাস / RoHS স্ট্যাটাস: লিড ফ্রি / RoHS কমপ্লায়েন্ট
স্টক কন্ডিশন: স্টকে
থেকে জাহাজ: Hong Kong
চালানের পথ: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
মন্তব্য করুন
সক্রিয়-সেমি PHD21N06LT,118 chipnets.com এ উপলব্ধ। আমরা শুধুমাত্র নতুন এবং আসল অংশ বিক্রি করি এবং 1 বছরের ওয়ারেন্টি সময় অফার করি। আপনি যদি পণ্য সম্পর্কে আরও জানতে চান বা আরও ভাল মূল্য প্রয়োগ করতে চান, তাহলে অনুগ্রহ করে আমাদের সাথে যোগাযোগ করুন অনলাইন চ্যাটে ক্লিক করুন বা আমাদের কাছে একটি উদ্ধৃতি পাঠান।
ESD অ্যান্টিস্ট্যাটিক সুরক্ষা দ্বারা সমস্ত ইলেকট্রনিক্স উপাদানগুলি খুব নিরাপদে প্যাকিং করা হবে।

package

স্পেসিফিকেশন
টাইপ বর্ণনা
সিরিজTrenchMOS™
প্যাকেজTape & Reel (TR)
পার্ট স্ট্যাটাসObsolete
FET প্রকারN-Channel
প্রযুক্তিMOSFET (Metal Oxide)
উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss)55 V
কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড19A (Tc)
ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস)5V, 10V
আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস70mOhm @ 10A, 10V
ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি2V @ 1mA
গেট চার্জ (কিউজি) (সর্বাধিক) @ ভিজিএস9.4 nC @ 5 V
Vgs (সর্বোচ্চ)±15V
ইনপুট ক্যাপাসিট্যান্স (সিএসএস) (সর্বোচ্চ) @ ভিডিএস ds650 pF @ 25 V
FET বৈশিষ্ট্য-
বিদ্যুৎ অপসারণ (সর্বোচ্চ)56W (Tc)
অপারেটিং তাপমাত্রা-55°C ~ 175°C (TJ)
মাউন্টিং প্রকারSurface Mount
সরবরাহকারী ডিভাইস প্যাকেজDPAK
প্যাকেজ / কেসTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
কেনার বিকল্প

স্টক অবস্থা: একই দিনে শিপিং

সর্বনিম্ন: 1

পরিমাণ একক দাম Ext. দাম

মূল্য উপলব্ধ নয়, দয়া করে RFQ

মালবাহী হিসাব

FedEx দ্বারা US $40।

3-5 দিনের মধ্যে পৌঁছান

এক্সপ্রেস:(ফেডেক্স, ইউপিএস, ডিএইচএল, টিএনটি) 150 ডলারের বেশি অর্ডারের জন্য প্রথম 0.5 কেজিতে বিনামূল্যে শিপিং, অতিরিক্ত ওজন আলাদাভাবে চার্জ করা হবে

জনপ্রিয় মডেল
Product

PHD20N06T,118

Nexperia

Product

PHD22NQ20T,118

NXP Semiconductors

Product

PHD21N06LT,118

NXP Semiconductors

Product

PHD23NQ10T,118

NXP Semiconductors

Top