NTE Electronics, Inc. / NTE645
ছবিটি রেফারেন্সের জন্য, প্রকৃত ছবি পেতে আমাদের সাথে যোগাযোগ করুন
NTE645
| প্রস্তুতকারকের অংশ নম্বর: | NTE645 |
| প্রস্তুতকারক: | NTE Electronics, Inc. |
| বর্ণনার অংশ: | R-DUAL CMN ANODE 600V 16A |
| লিড ফ্রি স্ট্যাটাস / RoHS স্ট্যাটাস: | লিড ফ্রি / RoHS কমপ্লায়েন্ট |
| স্টক কন্ডিশন: | স্টকে |
| থেকে জাহাজ: | Hong Kong |
| চালানের পথ: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- মন্তব্য করুন
- সক্রিয়-সেমি NTE645 chipnets.com এ উপলব্ধ। আমরা শুধুমাত্র নতুন এবং আসল অংশ বিক্রি করি এবং 1 বছরের ওয়ারেন্টি সময় অফার করি। আপনি যদি পণ্য সম্পর্কে আরও জানতে চান বা আরও ভাল মূল্য প্রয়োগ করতে চান, তাহলে অনুগ্রহ করে আমাদের সাথে যোগাযোগ করুন অনলাইন চ্যাটে ক্লিক করুন বা আমাদের কাছে একটি উদ্ধৃতি পাঠান।
ESD অ্যান্টিস্ট্যাটিক সুরক্ষা দ্বারা সমস্ত ইলেকট্রনিক্স উপাদানগুলি খুব নিরাপদে প্যাকিং করা হবে।
স্পেসিফিকেশন
| টাইপ | বর্ণনা |
|---|---|
| সিরিজ | * |
| প্যাকেজ | Bag |
| পার্ট স্ট্যাটাস | Active |
| ডায়োড কনফিগারেশন | 1 Pair Common Anode |
| ডায়োড প্রকার | Standard |
| ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক) | - |
| বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড) | 8A |
| ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If | 1.3 V @ 8 A |
| গতি | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর) | 250 ns |
| কারেন্ট - বিপরীত ফাঁস @ ভিআর | 10 µA @ 600 V |
| অপারেটিং তাপমাত্রা - জংশন | -65°C ~ 175°C |
| মাউন্টিং প্রকার | Through Hole |
| প্যাকেজ / কেস | TO-220-3 |
| সরবরাহকারী ডিভাইস প্যাকেজ | TO-220 |
স্টক অবস্থা: 3999
সর্বনিম্ন: 1
| পরিমাণ | একক দাম | Ext. দাম |
|---|---|---|
মূল্য উপলব্ধ নয়, দয়া করে RFQ |
||
মালবাহী হিসাব
FedEx দ্বারা US $40।
3-5 দিনের মধ্যে পৌঁছান
এক্সপ্রেস:(ফেডেক্স, ইউপিএস, ডিএইচএল, টিএনটি) 150 ডলারের বেশি অর্ডারের জন্য প্রথম 0.5 কেজিতে বিনামূল্যে শিপিং, অতিরিক্ত ওজন আলাদাভাবে চার্জ করা হবে
জনপ্রিয় মডেল
কার্টে যোগ করা হয়েছে!
এই আইটেমটি আপনার কার্ট যোগ করা হয়েছে।