Vishay General Semiconductor – Diodes Division / GB35XF120K
ছবিটি রেফারেন্সের জন্য, প্রকৃত ছবি পেতে আমাদের সাথে যোগাযোগ করুন
GB35XF120K
| প্রস্তুতকারকের অংশ নম্বর: | GB35XF120K |
| প্রস্তুতকারক: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
| বর্ণনার অংশ: | IGBT MODULE 1200V 50A 284W |
| ডেটাশিট: | GB35XF120K ডেটাশিট |
| লিড ফ্রি স্ট্যাটাস / RoHS স্ট্যাটাস: | লিড ফ্রি / RoHS কমপ্লায়েন্ট |
| স্টক কন্ডিশন: | স্টকে |
| থেকে জাহাজ: | Hong Kong |
| চালানের পথ: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- মন্তব্য করুন
- সক্রিয়-সেমি GB35XF120K chipnets.com এ উপলব্ধ। আমরা শুধুমাত্র নতুন এবং আসল অংশ বিক্রি করি এবং 1 বছরের ওয়ারেন্টি সময় অফার করি। আপনি যদি পণ্য সম্পর্কে আরও জানতে চান বা আরও ভাল মূল্য প্রয়োগ করতে চান, তাহলে অনুগ্রহ করে আমাদের সাথে যোগাযোগ করুন অনলাইন চ্যাটে ক্লিক করুন বা আমাদের কাছে একটি উদ্ধৃতি পাঠান।
ESD অ্যান্টিস্ট্যাটিক সুরক্ষা দ্বারা সমস্ত ইলেকট্রনিক্স উপাদানগুলি খুব নিরাপদে প্যাকিং করা হবে।
স্পেসিফিকেশন
| টাইপ | বর্ণনা |
|---|---|
| সিরিজ | - |
| প্যাকেজ | - |
| পার্ট স্ট্যাটাস | Obsolete |
| আইজিবিটি টাইপ | NPT |
| কনফিগারেশন | Three Phase Inverter |
| ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ) | 1200 V |
| বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ) | 50 A |
| শক্তি - সর্বোচ্চ | 284 W |
| ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি | 3V @ 15V, 50A |
| বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ) | 100 µA |
| ইনপুট ক্যাপাসিট্যান্স (সিআইএস) @ ভেসে | 3.475 nF @ 30 V |
| ইনপুট | Standard |
| এনটিসি থার্মিস্টর | No |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | 150°C (TJ) |
| মাউন্টিং প্রকার | Chassis Mount |
| প্যাকেজ / কেস | ECONO2 |
| সরবরাহকারী ডিভাইস প্যাকেজ | - |
স্টক অবস্থা: একই দিনে শিপিং
সর্বনিম্ন: 1
| পরিমাণ | একক দাম | Ext. দাম |
|---|---|---|
মূল্য উপলব্ধ নয়, দয়া করে RFQ |
||
মালবাহী হিসাব
FedEx দ্বারা US $40।
3-5 দিনের মধ্যে পৌঁছান
এক্সপ্রেস:(ফেডেক্স, ইউপিএস, ডিএইচএল, টিএনটি) 150 ডলারের বেশি অর্ডারের জন্য প্রথম 0.5 কেজিতে বিনামূল্যে শিপিং, অতিরিক্ত ওজন আলাদাভাবে চার্জ করা হবে
জনপ্রিয় মডেল
 |
Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
কার্টে যোগ করা হয়েছে!
এই আইটেমটি আপনার কার্ট যোগ করা হয়েছে।